Radiochastota (RF) püskürtme qoplamasi

Radiochastota (RF) püskürtme qoplamasi
Rf sputtering - bu maqsadni bombardimon qilish uchun rf deşarj plazmasidagi püskürtme nishonidan foydalanadigan texnologiya va püskürtme nishon atomi taglik plitasining yuzasiga joylashtiriladi. Yalıtkan nishonning orqa tomoniga joylashtirilgan o'tkazgichga salbiy potentsial qo'llaniladi. Yorqin deşarj plazmasida, oldingi izolyatsion nishon bombardimon qilinadi va musbat ionlar hidoyat plastinkasiga tezlashtirilganda püskürtülür. Cho'kish atigi 10-7 soniya davom etadi, shundan so'ng izolyatsion nishonda to'plangan pozitronlar o'tkazuvchan plastinkadagi salbiy potentsialni qoplaydi va shu bilan yuqori energiyali musbat ionlar tomonidan izolyatsion nishonni bombardimon qilishni to'xtatadi. Ushbu nuqtada, agar elektr ta'minotining polaritesi teskari bo'lsa, elektronlar izolyatsion plastinkani bombardimon qiladi va 10-9 soniya ichida izolyatsion plastinkadagi musbat zaryadni nolga tenglashtiradi. Va agar quvvat manbai polaritesi qayta ulangan bo'lsa, 10-7 soniya davomida chayqalish paydo bo'lishi mumkin.

IKS PVD kompaniyasi, dekorativ qoplama mashinasi, asboblarni qoplash mashinasi, DLC qoplama mashinasi, optik qoplama mashinasi, PVD vakuumli qoplama liniyasi, kalit loyihasi mavjud. Hozir biz bilan bog'laning, E-mail:iks.pvd@foxmail.com