Atom qatlamini cho'ktirish (ALD)
May 09, 2024| Atom qatlamini cho'ktirish (ALD) bir xil CVD sifatida qaralishi mumkin. Ald - bu reaktorga gaz fazasi prekursor impulslarini navbatma-navbat yuborish va ularni kimyoviy adsorbsiyalash va cho'kma substratida aks ettirish orqali ikkilik birikma plyonkalarini ishlab chiqarish usuli.
Jarayon umumiy CVD jarayoniga o'xshaydi, ammo ALDda atom qatlamini cho'ktirishning sirt reaktsiyasi o'z-o'zidan cheklanadi, ya'ni kimyosorbtsiya o'zini o'zi cheklovchi (CS) va ketma-ket reaktsiya o'zini o'zi cheklaydigan (RS), yangi atomning kimyoviy reaktsiyasi. film oldingi qatlam bilan bevosita bog'liq bo'lib, har bir reaksiyada faqat bitta atom qatlami to'planadi.
O'z-o'zini cheklashdan tashqari, ALD jarayonida, reaktsiya darajasini va oxirgi plyonka qalinligini nazorat qilish uchun ma'lum bir reaktsiyadan so'ng ota-ona materialini ajratish kerak.
Ajralish vaqtida ortiqcha reaksiya ota-onasi va reaktsiyaning qo'shimcha mahsuloti bo'shliqdan katta miqdorda ajratuvchi gazni (Ar yoki N2) to'satdan yuborish orqali chiqariladi. Bu plyonkaning substratda tartibli va miqdoriy tarzda cho'kishi mumkinligini ta'minlaydi.
IKS PVD kompaniyasi, dekorativ qoplama mashinasi, asboblarni qoplash mashinasi, DLC qoplama mashinasi, optik qoplama mashinasi, PVD vakuumli qoplama liniyasi, kalit loyihasi mavjud. Biz bilan hozir bog'laning, E-mail: iks.pvd@foxmail.com